二手多晶硅长晶炉浦东新滤波柜维修/保养主机部分：机架单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的设备。主要由主机高像素CCD测径ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。是现今信息社会的基石。根据半导体设备材料产业协会(SEMI)的报告，全球大直径硅单晶的需求依然旺盛，450mm硅单晶要继续发研究。当前主流集成电路设备用部件急需400mm硅单晶并提出低成本的要求，发400mm硅单晶和研究晶体的工艺过程，无疑具有重要的理论意义和现实需求。同时，发下一代450mm集成电路用硅晶体，研究外加磁场对改善晶体质量的作用。广泛应用于集成电路备件和硅片领域大直径硅单晶的与数值分析\大直径硅单晶是微电子工业的基础材料对于我国未来450mm硅片具有重要的战略意义。本文从晶体生长物理基础和流体力学的基本理论出发采用28inch和32inch热场出400mm和45。

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双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\氩气系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2。主机部分：机架基本介绍编辑1加热器电源：全水冷电源装置采用电源或原装进口IGBT及超快恢复二极管等功率器件。配以高频变压器配备大屏幕触摸式HMI人机界面。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。通气管19从排气口 13排出。本实施例的气流导向装置20可有效减小炉内空间(尤其是坩埚支持器 14下方的空间)，便于排气，且利于减少热能和氩气的消耗量，另外，由于 该炉的排气口 13与气流导向装置20的各通气孔2-3相连通，整个炉内的 一氧化硅与氩气的混合气体(包括坩埚支持器14下方的混合气体)能通畅 地排出炉外，整个炉内不存在排气死角。